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ithome 时政 采集 2026-08-23T04:11:49+00:00

富加镓业实现6英寸氧化镓晶锭技术突破

原始标题:富加镓业实现 6 英寸氧化镓晶锭技术突破,厚度超 70mm

来源
ithome
发布时间
2026-08-23T01:30:19
采集批次
2026-08-23-04
字数
603
URL 指纹
9de25aa496fef06c

📌 AI 总结(186 字)

富加镓业近日采用自主垂直布里奇曼法成功生长出厚度超70mm的6英寸氧化镓单晶晶锭,经权威机构检测结晶质量优异、电学性能达标。该晶锭厚度平均值70.58mm,超过主流碳化硅晶锭高度,可显著降低单片衬底成本。检测结果显示衬底结晶均匀性良好,电阻率均值16.4mΩ·cm,均匀性6.8%,可满足碳化硅行业衬底要求。公司将在济南举办的全国晶体生长学术会议上展示多款氧化镓衬底产品。
📄 正文(603 字)
富加镓业近日采用自主垂直布里奇曼法(VB法)成功生长出厚度超70mm的6英寸氧化镓单晶晶锭,经平湖实验室HRXRD检测,结晶质量优异;同时经中国计量科学研究院检测,电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。

据介绍,晶锭厚度是衡量单晶生长技术成熟度与产业化程度的关键指标,更厚的晶锭意味着单根晶体可切割出更多衬底片,直接降低单片成本。该6英寸晶锭厚度经中国计量科学研究院权威检测,晶锭厚度平均值70.58mm,极差0.12mm,已超过主流碳化硅晶锭20-50mm的高度。

平湖实验室对VB氧化镓衬底进行了HRXRD双晶摇摆曲线测试,5个点位的FWHM均值为38.71arcsec,均低于50arcsec,表明衬底整体结晶质量优异。

此外,电阻率是影响器件正向导通效果的关键参数,其均匀性决定了器件性能的一致性,是量产良率的重要保障。中国计量科学研究院对该6英寸衬底进行了电学性能检测,电阻率均值16.4(mΩ·cm),均匀性6.8%。测试结果表明,该电学性能可满足碳化硅行业对衬底的要求。

第二十届全国晶体生长与材料学术会议于2026年8月22-25日在山东省济南市南郊宾馆召开,由中国硅酸盐学会晶体生长与材料分会主办、山东大学承办。届时,富加镓业将在会议同期展览中设立展台,携带众多款不同晶向的2-8英寸氧化镓衬底及外延产品集中亮相,涵盖(100)、(010)、(001)、(011)等多种晶面取向。