韩媒《首尔经济日报》当地时间28日报道称，三星电子正为英伟达开发一款定制的HBM内存产品。其采用8层低堆叠设计，同时支持17至18Gbps的高引脚速率。报道原文同时称其为HBM4E和NVHBM，但从英伟达的表述来看，NVHBM和标准HBM4E必然采用有差异的基础裸片设计，而DRAM Die是否能相同也有待考察。三星电子此前出样的HBM4E内存支持至高16Gbps的引脚速率。从技术角度来看，低堆叠设计可减少DRAM Die用量、提升生产良率，从而压低制造成本、提升出货规模；而更高的速率能进一步化解AI加速器存在的内存墙问题，提升实际吞吐量。对于三星电子而言，其同时经营存储器与晶圆代工业务，拥有全流程定制HBM开发能力，在基础裸片的设计调整、基础裸片与DRAM Die的适配等方面存在天然优势。