IT之家8月31日消息，据《The Information》今日报道，长鑫存储已启动HBM3E内存的风险试产工作。

据报道，长鑫存储当前计划扩大产能。预计到今年年底，该公司的DRAM制造能力将达到每月35万片晶圆，未来几年的产能还将继续提高。目前长鑫的HBM3E生产规模依然十分有限，这意味着他们刚刚进入风险试产阶段。

虽然我们还不清楚长鑫存储HBM3E的具体规格。但根据JEDEC（IT之家注：固态技术协会）规范，HBM3E应采用1024-bit位宽，单引脚速率介于9.2Gbps至12.4Gbps之间，大多数标准配置的目标速率为9.6Gbps。

在9.6Gbps的典型配置下，HBM3E的总带宽可达1.2TB/s。在采用8层堆叠（8-Hi）、单层24Gb DRAM芯片的情况下，其单个堆栈容量为24GB；采用12层堆叠时，容量可达36GB。

考虑到长鑫存储此前已具备从风险试产快速过渡到大规模量产的能力，因此其HBM3E有可能在数周内进入大规模量产阶段。

此外，长鑫存储在晶圆厂洁净室建设速度方面拥有明显优势。其建设一座晶圆厂洁净室仅需12个月，其他厂商通常需要两年。