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ithome 科技 汽车 采集 2026-09-03T04:13:21+00:00

比亚迪半导体推出V-305B SiC模块,系统杂散电感降至10nH以内

原始标题:打破传统 SiC 电感天花板,比亚迪半导体 V-305B 模块实现系统电感<10nH

来源
ithome
发布时间
2026-09-03T01:56:32
采集批次
2026-09-03-04
字数
726
URL 指纹
4b4b979321d189ff

📌 AI 总结(195 字)

比亚迪半导体发布新一代车规级1000V SiC功率模块V-305B,通过DC叠层端子与激光焊接工艺将整机系统杂散电感压缩至10nH以内,功率密度提升15%。相比传统模块20nH以上的水平,可削减开关尖峰电压与开关损耗各约30%,1000V工况下输出电流超650Arms。该模块阻断电压超1500V,匹配1000V高压平台,已推出1200V至1500V多款型号,主要面向大功率电驱与快充场景。
📄 正文(726 字)
比亚迪半导体官方发文介绍其全新一代车规级1000V SiC功率模块V-305B。该模块采用DC叠层端子搭配激光焊接工艺,将整机系统杂散电感压缩至10nH以内,功率密度提升15%。

比亚迪指出,随着1000V全域高压平台逐步实现规模化量产,传统SiC方案杂散电感偏高、功率密度受限等短板愈发凸显。V-305B模块的推出直击这一痛点,其阻断电压大于1500V,为1000V平台应用预留充足电压裕量;模块自身寄生电感低至5.5nH,匹配外围拓扑后整机系统杂散电感可控制在10nH以内。

相比传统模块20nH以上的杂散电感水平,该方案可实现开关尖峰电压削减30%、开关损耗下降30%。在1000V工况下,模块输出电流达650Arms以上,可满足大功率电驱与快充需求。

在工艺层面,V-305B采用DC正负极叠层引出设计,将功率回路面积压至最小;芯片到端子的功率连接以激光焊接替代传统键合线,接触阻抗更低、路径更短。

在可靠性方面,其芯片采用双面银烧结工艺,热阻更低;基板选用氮化硅AMB(活性金属钎焊)材料,导热系数高、冷热冲击耐受强;散热底板采用椭圆分段结构,兼顾散热面积与流阻优化;外框与基板连接采用超声焊接,抗振能力强;灌封硅凝胶的玻璃化转变温度达200℃;内部驱动回路对称布局,保障并联芯片电流均衡。

该模块已推出1200V/1040A、1500V/1400A、1500V/1040A及1500V/840A等多款型号,统一尺寸为154.5×128.5×32mm³,重量780g。

注:杂散电感是指功率模块内部因寄生参数产生的非理想电感,过高的杂散电感会在开关过程中产生电压尖峰,增加开关损耗,是限制SiC器件高频高压优势发挥的关键因素之一。