英特尔于当地时间周一宣布，其采用高数值孔径极紫外（High-NA EUV）光刻设备处理的300mm晶圆数量累计已突破一百万大关。这一里程碑距离其首台High-NA EUV设备完成组装还不到两年半时间。

英特尔目前拥有两台ASML Twinscan EXE:5000原型机及至少一台EXE:5200B量产机型。2025年2月，英特尔使用High-NA EUV设备累计处理了约3万片晶圆；至2026年9月，这一数字已超过百万片。

根据ASML在2026年4月第一季度财报中披露的数据，当时全球所有High-NA EUV系统累计处理的晶圆已超过50万片，可用率超过80%。这意味着英特尔一家的处理量已超过行业其他所有用户的总和。

今年早些时候，英特尔已通过其Intel 18A工艺节点完成了High-NA EUV的验证。该技术目前正用于生产Panther Lake系列酷睿Ultra处理器。今年7月，ASML宣布英特尔成为全球首家实现High-NA EUV逻辑芯片大规模出货的企业，Intel 18A部分工艺层已完成High-NA EUV双重认证，良率已达到现有NXE EUV平台水平。

不过，High-NA EUV目前仍面临光罩（掩模版）尺寸带来的限制。为突破限制，英特尔正牵头推动行业转向更大的6×12英寸光罩。该尺寸可在一次曝光中实现26×33mm的完整视场。然而，这一转变涉及整个光罩生态系统的重大变更，包括光罩空白基板、沉积、刻蚀、检测、计量、清洗、光罩保护膜、光罩写入设备以及处理系统等环节均需调整。High-NA EUV也需修改或重新设计以适配更大尺寸的光罩。

按照ASML的路线图，在2033年前后及之后推出的High-NA EUV设备仍以6×6英寸光罩和拼接方案为设计基础。目前，ASML和英特尔均未确认现有或计划中的High-NA EUV光刻机是否能够改造以支持6×12英寸光罩。