ithome 国际财经科技采集 2026-09-18T10:11:14+00:00

长鑫存储计划进军闪存市场，与三星海力士美光展开竞争

原始标题：消息称长鑫正准备进入闪存市场，与三星、海力士、美光正面竞争

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发布时间

2026-09-18T08:43:37

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2026-09-18-10

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📌 AI 总结（238 字）

据路透社报道，长鑫存储正计划进入需求激增的NAND闪存市场，计划在北京新工厂建设NAND闪存研发生产线，并已设立相关研发机构。该公司已与包括一家AI初创企业在内的新客户展开接洽，后者计划将其NAND芯片用于人工智能系统及超级计算机的存储产品。目前全球闪存市场由三星电子以29.3%份额领跑，SK海力士和美光紧随其后。长鑫存储在DRAM市场表现强劲，2026年第二季度DRAM营收达146.24亿美元，环比增长99.3%，全球市占率升至9.5%，为其拓展NAND业务奠定了基础。

📄 正文（487 字）

据路透社消息，三位知情人士透露，长鑫存储正计划进军需求激增的闪存市场。

知情人士表示，长鑫存储计划在其位于北京的新工厂建设一条用于NAND闪存研发的产线。同时，该公司在北京设立了研发机构，相关项目涵盖NAND技术的开发。

在客户拓展方面，长鑫存储已就其NAND业务规划与客户展开接洽，其中包含一家新成立的初创企业。该企业计划采购长鑫存储的NAND芯片，用于人工智能系统及超级计算机的存储产品研发与部署。

据TrendForce集邦咨询数据，按营收口径计算，三星电子以29.3%的市场份额在2026年第二季度位居全球闪存市场榜首，SK海力士位列次席，美光紧随其后。这意味着长鑫存储若成功进入该领域，将直接面对三大国际巨头的竞争。

在DRAM业务方面，长鑫存储2026年第二季度营收达到146.24亿美元，环比增幅高达99.3%，全球市占率从2026年第一季度的7.6%提升至9.5%。DRAM业务的快速增长为长鑫存储积累了资金与技术基础，也为其拓展NAND闪存业务提供了支撑。

业内人士认为，随着AI和数据中心对存储需求的持续增长，全球闪存市场竞争格局可能发生变化。