SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术 - IT之家

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# SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术

2026/8/7 18:02:57
来源：[IT之家](https://www.ithome.com/0/987/148.htm)
作者：**溯波（实习）**
责编：**溯波**

[评论：](#post_comm)

[IT之家](https://www.ithome.com/) 8 月 7 日消息，SK 海力士在其 FMS 2026 峰会新闻稿中确认，**其继 321 层 V9 "4D NAND" 后的新一代闪存产品 V10 采用 375 层堆叠设计**。这也是 SK 海力士首款采用晶圆键合技术的 NAND 产品。

![](//img.ithome.com/images/v2/t.png "SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术")

SK 海力士宣称 **V10 NAND 实现了上代产品 2.5 倍的每瓦性能**，专为需要兼顾能效和性能的 AI 基础设施环境而优化。**SK 海力士计划 2027H1 量产基于 V10 NAND 的企业级固态硬盘**。

SK 海力士在展示 V10 1Tb TLC 晶圆的同时还展示了两款成品颗粒：32DP 2CH 型号堆叠了 32 个 NAND Die，是首款类似封装的 TLC；而 4 通道封装版本面积仅 13.5mm × 12.5mm，比传统的 14mm × 18mm 更为小巧。

![](//img.ithome.com/images/v2/t.png "SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术")

此外，SK 海力士还展示了**基于 V9H 1Tb TLC NAND 的 UFS 5.0 解决方案 UG500**：其提供 512GB 和 1TB 两种容量，能效较 UFS 4.1 改进 19%。同时展出的还有基于 1c nm 16Gb Die 的 LPDDR6 颗粒。

![](//img.ithome.com/images/v2/t.png "SK 海力士确认 V10 NAND 闪存为 375 层堆叠，导入晶圆键合技术")

SK 海力士的**首款性价比 PCIe Gen5 QLC 固态硬盘 PQF02** 也有展出。其基于 V9 QLC NAND，提供 1TB 和 2TB 版本，采用 4 通道主控，支持从 2230 到 2280 的 M.2 外形规格。

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