ithome
国际
科技
军事
采集 2026-07-24T10:24:56+00:00
俄企业成功开发150nm电子束直写光刻原型系统
原始标题:俄企业成功开发 150nm 电子束直写光刻原型系统
来源
ithome
发布时间
2026-07-24T09:21:05
采集批次
2026-07-24-10
字数
313
URL 指纹
3973102174a7d079
📌 AI 总结(192 字)
俄罗斯泽列诺格勒纳米技术中心于2026年6月成功开发出150nm电子束直写光刻原型系统,名称可意译为「Progress ELL 150」。该中心正对两套原型进行为期4个月的初步测试,之后将检测图案化精度等技术参数。电子束光刻无需掩模版,适合小规模制造,但难以大规模量产,主要用于传统半导体产业链中的掩模制造环节。对于市场规模较小的航天或国防工业芯片而言,该技术具有直接商业化的可能性。
📄 正文(313 字)
IT之家7月24日消息,据俄罗斯媒体CNews当地时间20日报道,该国企业泽列诺格勒纳米技术中心已于今年6月成功开发出150nm电子束直写光刻原型系统,这一设备的名称似乎可以意译为「Progress ELL 150」。 泽列诺格勒纳米技术中心负责人表示,目前正对两套原型系统进行一系列为期4个月的初步测试,此后则将开始测试图案化精度及其它技术参数。 电子束光刻是一种不依赖掩模版的光学图案化技术,对于小规模制造具有灵活便捷的优势,但难以大规模生产。在传统半导体制造产业链中,电子束光刻通常用于掩模制造环节。 不过对于俄罗斯刚需的航天或国防工业芯片而言,其市场规模本就相对较小,直接使用电子束光刻或许也具有商业化的可能性。