长电科技今日宣布该企业与合作伙伴共同完成了1.5μm小孔径17μm深度的11.3:1高深宽比TSV（硅通孔）试制。

本次样品试制围绕深硅刻蚀、孔壁绝缘层沉积、阻挡层与种子层沉积、铜填充等关键工艺展开。相较于较大孔径的TSV结构，1.5μm小孔径对深硅刻蚀精度、孔壁介质层与金属层覆盖、无缺陷铜填充提出了更高要求。

此次样品试制成功表明长电科技具备了业界领先的小孔径、高深宽比TSV的工艺研发与协同验证能力，进一步拓展了企业在晶圆级先进封装和硅基互连领域的研发边界，为进一步打通TSV、再布线及相关晶圆级工艺，探索完整硅中介层制备能力奠定了研发基础。

从应用方向看，高深宽比TSV研发能力可重点支撑两类高端先进封装场景。一类是3D堆叠集成，通过在下层晶圆或芯片中制备TSV，实现芯片之间垂直方向的电气连接。另一类是面向硅中介层等硅基互连结构，通过与再布线、微凸点、晶圆级封装等工艺协同，为2.5D集成、多芯粒互连及高带宽存储集成提供关键工艺支持。