ithome 国际科技采集 2026-08-20T04:08:57+00:00

摩根士丹利预估DDR4内存价格或大幅上涨

原始标题：摩根士丹利预估 2026Q3 全球 DDR4 内存价格上涨 50%

来源

ithome

发布时间

2026-08-20T03:40:49

采集批次

2026-08-20-04

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426

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📌 AI 总结（237 字）

摩根士丹利最新报告预测，受存储厂商将晶圆产能转向HBM、DDR5及高层数NAND影响，成熟型DRAM和NAND闪存供应紧张将进一步加剧。2026年第三季度DDR4内存价格预计环比上涨50%，第四季度再涨超10%；SLC NAND同两季度涨幅均超50%。HBM晶圆消耗量约为传统DRAM的三倍，瑞银预计英伟达2027年将消耗约251亿Gb HBM，占行业需求约四成。此外，DDR5价格也持续上涨，DDR5-5600/6400 24GB现货价8月环比涨8%，同比涨幅约483%。

📄 正文（426 字）

IT之家8月20日消息，摩根士丹利在最新研究报告中指出，受存储厂商把晶圆产能转向HBM、DDR5和高层数NAND影响，预测成熟型DRAM内存和NAND闪存芯片的供应紧张状态可能进一步恶化。

该机构预测2026年第三季度DDR4内存价格将会上涨50%，而第四季度再上涨10%以上。SLC NAND的价格涨幅更高，预计2026年第三、4季度均上涨50%以上。

摩根士丹利认为本轮供应收缩，主要由供给侧变化推动。存储厂商持续把晶圆产能转向HBM、DDR5和更高层数的NAND，留给DDR4与SLC NAND的产能份额快速缩小。

由于HBM包括垂直堆叠结构等多种原因，其晶圆消耗量约为传统DRAM的3倍。瑞银近期预计，英伟达单家公司在2027年将消耗约251亿Gb的HBM，而整个行业的需求约为615亿Gb。

DDR5价格同样保持上涨趋势。美国银行数据显示，DDR5-5600/6400 24GB内存的现货价格在8月环比上涨8%，同比涨幅约为483%。